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北京把孩半(f)由八个ZIB单元编辑的可拉伸器件的点灯照片。校长(b)超薄一体化ZIBs在弯曲状态下的FE模型。
(b-g)超薄一体化、放第叠层、厚一体化结构ZIBs的电化学性能。
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图3-7 单个像素处压电响应的磁滞回线:校长原始数据(蓝色圆圈),传统拟合曲线(红线)和降噪处理后的曲线(黑线)。放第(h)a1/a2/a1/a2频段压电响应磁滞回线。
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